معرفی کتاب کنترل امواج الکترومغناطیسی بعد از انفجار هسته‌ای

کتاب کنترل امواج الکترومغناطیسی بعد از انفجار هسته‌ای نوشته‌ی افشین رشید، به شرح امواج الکترومغناطیسی مخرب که نتیجه انفجار هسته‌ای است، می‌پردازد.

در بخشی از کتاب کنترل امواج الکترومغناطیسی بعد از انفجار هسته‌ای می‌خوانیم

امواج الکترومغناطیسی مخرب نتیجه انفجار هسته‌ای در ارتفاع بیش از 30 مایلی به وجود می‌آید و باید زیر ساخت‌های مخابراتی برای جلوگیری از آسیب احتمالی در این فاصله کنترل شود. میدان الکترومغناطیسی ایجاد شده توسط تأثیرات پرتوهای گاما در تعامل با جو در حدود 15 تا 30 مایل در ارتفاع همان چیزی است که به عنوان "پالس الکترومغناطیسی" شناخته می‌شود. چنین پالسی می‌تواند بسیار شدید (50000 ولت بر متر) و پهنای باند باشد و انواع الکترونیک و برق و سایر زیرساخت‌ها را در معرض آسیب احتمالی قرار دهد. اثر میدان‌های الکتریکی و مغناطیسی شدید یک امواج الکترومغناطیسی پس از انفجار هسته‌ای می‌تواند به تجهیزات الکترونیکی محافظت نشده و تجهیزات الکترونیکی در یک منطقه بزرگ آسیب برساند.

زیر ساخت‌های ارتباطی (برج‌های سلولی، سوئیچ‌های مخابراتی، دیش‌ها، رادار) به طور قابل توجهی تحت تاثیر قرار خواهند گرفت. مختل شدن در شبکه برق و تجهیزات الکترونیکی در نزدیکترین حالت به نقطه صفر انفجار است. مختل شدن الکترونیکی گسترده بالقوه عملکرد ارتباطات، رایانه‌ها و سیستم‌های رایانه‌ای و سایر تجهیزات الکترونیکی ضروری از جمله تجهیزات کلیدی بیمارستانی، پمپ بنزین‌ها و سایر اجزای الکتریکی زیرساخت‌های حیاتی منطقه را پیچیده خواهد کرد. سایر اثرات تجهیزات مربوط به امواج الکترومغناطیسی ممکن است شامل توقف وسایل نقلیه (در اثر اثرات بر روی وسایل الکترونیکی
خودرو) و اجزای کنترل آب و الکتریکی سیستم از بین رفته یا نیز مختل شود. اگر دکل‌های ارتباطی و تکرارکننده‌های زیرساخت همچنان به کار خود ادامه دهند، ارتباطات و سایر تجهیزات الکترونیکی وارد شده از مناطق آسیب دیده باید به طور عادی کار کنند. تلفن‌های همراه و رادیو های دستی آنتن‌های نسبتا کًوچکی دارند و اگر در طول پالس الکترومغناطیسی (امواج الکترومغناطیسی) به منابع برق متصل نباشند، ممکن است تحت تأثیر قرار نگیرند، اما برای ارتباطات به زیر ساخت‌های دست نخورده وابسته هستند. برنامه ریزان باید به طور خاص اشکال ارتباطی را که در اثر انفجار هسته‌ای ایجاد می‌شود (آسیب دیدگی امواج الکترومغناطیسی و زیر ساخت) در نظر بگیرند و در برنامه ریزی خود بدانند که وسایل عادی ارتباط ممکن است در
دسترس نباشد. روش‌های ارتباط جمعی و راهنمایی عمومی در مورد ذخیر ه سازی رادیو‌های باتر یدار ممکن است مناسب باشد.

معرفی کتاب نانو لیتوگرافی الکترونیکی

کتاب نانو لیتوگرافی الکترونیکی نوشته‌ی افشین رشید، این شاخه‌ از فناوری نانو الکترونیک را شرح می‌دهد؛ نانو لیتوگرافی الکترونیکی به مطالعه و کاربرد ساختارهای مقیاس نانومتری الکترونیک می‌پردازد.

نانو لیتوگرافی یک اصطلاح گسترده برای توصیف فرآیند‌های مختلف برای ایجاد الگوهای مقیاس نانو در محیط‌های مختلف است که رایج‌ترین آن‌ها مواد نیمه رسانا سیلیکون است. هدف غالب نانولیتوگرافی کوچک شدن وسایل الکترونیکی است، که باعث می‌شود قطعات الکترونیکی بیشتری در فضاهای کوچکتر جمع شوند، یعنی مدارهای مجتمع کوچکتر که منجر به دستگاه‌های کوچکتر می‌شود، زیرا سریعتر و ارزانتر تولید می شوند زیرا مواد کمتری مورد نیاز است. این امر همچنین باعث افزایش عملکرد و زمان پاسخگویی می‌شود زیرا الکترون‌ها فقط باید مسافت‌های بسیار کوتاهی را طی کنند.

در بخشی از کتاب نانو لیتوگرافی الکترونیکی می‌خوانیم:

نانو لیتوگرافی یک عنوان گسترده برای توصیف فرآیند‌های مختلف برای ایجاد الگوهای مقیاس نانو در محیط‌های مختلف است که رایج‌ترین آن‌ها مواد نیمه رسانا سیلیکون است. هدف غالب نانولیتوگرافی کوچک شدن وسایل الکترونیکی است، که باعث می‌شود قطعات الکترونیکی بیشتری در فضاهای کوچکتر جمع شوند، یعنی مدارهای مجتمع کوچکتر که منجر به دستگاه‌های کوچکتر می‌شود، زیرا سریعتر و ارزانتر تولید می‌شوند زیرا مواد کمتری مورد نیاز است. این امر همچنین باعث افزایش عملکرد و زمان پاسخگویی می‌شود زیرا الکترون‌ها فقط باید مسافت‌های بسیار کوتاهی را طی کنند.

بیوگرافی (دکتر افشین رشید)

دکتر افشین رشید

افشین رشید متولد 16 فروردین 1368 در تهران ، اُستادیار دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران و دارای مدرک (دکترای تخصصی نانو _ میکرو الکترونیک) است. اُستادیار (گروه برق _ افزاره های نانو و میکرو الکترونیک ) دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران (عضو هیئت علمی) از سال 1399 و معاون گُسترش فناوری دِپارتمان برق (دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران) از دیگر سوابق دکتر افشین رشید میباشد.

وب سایت رسمی دکتر افشین رشید
electronic-tarfand.blog.ir

عضو هیات علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران

دکتر افشین رشید _ اُستادیار (گروه برق _ اَفزاره های میکرو و نانو اِلکترونیک) دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران (عضو هیئت علمی) از سال 1399 و معاون گُسترش فناوری دِپارتمان برق (دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران) میباشد.

افشین رشید ( متولد 16 فروردین 1368 ) در تهران ، اُستادیار "عضو هیات علمی" دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران و پژوهشگر ، نویسنده و مخترع ایرانی ( نویسنده 26 کتاب و مقالات بین المللی بسیار ) در محور تخصصی نانو الکترونیک میباشد، ( تحصیلات آکادمیک ) مقطع دکترا ( نانو _ میکرو الکترونیک ) از دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران ( تاریخ فارغ التحصیلی 1398 ) ساکن در ایران _ تهران میباشد.

بیوگرافی (دکتر افشین رشید)

آقای دکتر افشین رشید متولد 16 فروردین 1368 در تهران ، اُستادیار (گروه برق _ اَفزاره های میکرو و نانو اِلکترونیک) عضو هیات علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران ؛ دارای 21 مقاله کنفرانسی در داخل کشور و 224 مقاله بین المللی خارج از کشور هستند. مقالات منتشر شده ایشان بیشتر در موضوعات تخصصی نانو الکترونیک ، نانو ترانزیستور ها ، نانو تراشه های الکتریکی ، نانو سیم های الکترونیکی و اَفزاره های میکرو و نانو اِلکترونیک تهیه شده است. کتابها ، مقالات و کنفرانس های زیادی با محوریت تکنولوژی نانو الکترونیک از وی موجود میباشد و یک اختراع شگفت انگیز در زمینه تکنولوژی نانو ، همچنین (شاخص ترین نظریه تغییر سیستم داخلی و باز طراحی نانو حسگرهای الکترونیکیCDSE) میباشد.

دانشمند دو درصد برتر جهان در سال 2023

آقای دکتر افشین رشید متولد 16 فروردین 1368 در تهران ، اُستادیار (گروه برق _ اَفزاره های میکرو و نانو اِلکترونیک) عضو هیات علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران ؛ دارای 21 مقاله کنفرانسی در داخل کشور و 245 مقاله بین المللی خارج از کشور هستند. مقالات منتشر شده ایشان بیشتر در موضوعات تخصصی نانو الکترونیک ، نانو ترانزیستور ها ، نانو تراشه های الکتریکی ، نانو سیم های الکترونیکی و اَفزاره های میکرو و نانو اِلکترونیک تهیه شده است.

بیوگرافی دکتر افشین رشید

آقای دکتر افشین رشید متولد 16 فروردین 1368 در تهران ، اُستادیار (گروه برق _ اَفزاره های میکرو و نانو اِلکترونیک) عضو هیات علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران میباشد ؛ دارای 21 مقاله کنفرانسی در داخل کشور و بیش از 245 مقاله در مجلات و ژورنال های بین المللی خارج از کشور هستند. مقالات منتشر شده ایشان بیشتر در موضوعات تخصصی نانو الکترونیک ، نانو ترانزیستور ها ، نانو تراشه های الکتریکی ، نانو سیم های الکترونیکی و اَفزاره های میکرو و نانو اِلکترونیک تهیه شده است.همچنین ایشان در سال 2023 عنوان "دانشمند دو درصد برتر جهان" از نگاه موسسه انتشارات الزویر (Elsevier) را کسب کرده‌ اند.ایشان یکی از شخصیت‌ های ممتاز و ارزشمند علمی ایران و جهان میباشند و بیشترین آمار ارجاع مقالات علمی را میان دانشمندان ایرانی در حوزه " اَفزاره های میکرو و نانو اِلکترونیک " را در سطح بین المللی به خود اختصاص داده‌ است.

وب سایت رسمی دکتر افشین رشید
electronic-tarfand.blog.ir

?? لیست کتاب های منتشر شده (دکتر افشین رشید) به شرح زیر میباشد.